Bei kleinsten Partikeln auf Oberflächen wird seit Jahren erfolgreich Megaschall (d.h. Ultraschall im oberen Frequenzbereich, üblicherweise größer 400 kHz bis einige MHz) eingesetzt. Vor allem wenn es um die Abreinigung von Partikeln < 1 µm geht, ist das Verfahren besonders erfolgreich. Dabei ist es auch besonders schonend bei empfindlichen Strukturen, da die Kavitationsbläschen kleiner ausgeprägt sind als beim Ultraschall im üblichen Frequenzbereich von 20 bis 40 kHz. Daher ist der Einsatz von Megaschall prädestiniert für Mikrostrukturen, z.B. im Sensorbereich (MEMS), Halbleiter-Wafer oder auch Fotomasken.

Während in der Batch-Reinigung (d.h. mehrere Substrate in einem Carrier) in der Regel größere Transducer-Platten zum Einsatz kommen, gibt es für den flexiblen Einsatz die Megasonic Single- und Doppeldüsen. Diese haben eine Piezokeramik im Gehäuse, an dem das Medium vorbeigeleitet wird und so der Megaschall aufgeprägt wird. Über eine Quarzglas-Spitze gelangt der Flüssigkeitsstrahl dann nach außen und hat seinen Fokuspunkt ca. 5-20 mm unter dem Austrittspunkt mit einem Durchmesser von etwa 4 mm. 

Bei der Doppeldüse ist es dabei möglich, 2 verschiedene Frequenzen (und Leistungen) zu konfigurieren, während mit der Single-Düse eine Frequenz gefahren wird. Die meistgewählten Frequenzen sind 1 MHz bei der Single-Düse und alle erdenklichen Frequenzkombinationen von 1 bis 5 MHz bei der Doppeldüse. Vorteil der Megaschall Düsensysteme sind ihr flexibler Einsatz – d.h. sie können auf jede Substratgröße appliziert werden und sind in der Leistung regelbar. Außerdem bietet die Gehäuse-Ausführung in PTFE (Polytetrafluorethen) eine hohe Beständigkeit gegen zahlreiche Chemikalien. Damit ergibt sich in Summe ein großer Einsatzbereich und hervorragende Abreinigungsergebnisse in kurzer Anwendungszeit. Beispielsweise kann ein 200 mm – Siliziumwafer in Abhängigkeit der Medientemperatur und der eingesetzten Reinigungschemikalien innerhalb von nur einer Minute komplett von Verunreinigungen wie Siliziumnitrit (Si3N4) und Siliziumdioxid (SiO2) befreit werden.

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